اچ چیست؟

فناوری حکاکی نیمه هادی، همانطور که از نام آن پیداست، فرآیندی است که به طور انتخابی مواد را از سطح یک نیمه هادی حذف می کند تا الگوها یا ساختارهای خاصی ایجاد کند. این یک فرآیند بسیار مهم در ساخت دستگاه های نیمه هادی از جمله ریزپردازنده ها، دستگاه های حافظه و حسگرها و غیره است.

فرآیند اچ کردن شامل استفاده از مواد شیمیایی یا پلاسما برای حذف مناطق خاصی از سطح یک ماده است. در ساخت نیمه هادی، برای ایجاد ویژگی های دقیق بر روی سطح ویفرهای سیلیکونی یا سایر بسترها استفاده می شود. این فرآیند را می توان به طور کلی به دو دسته تقسیم کرد: اچینگ مرطوب و اچ خشک.

حکاکی مرطوب

حکاکی مرطوب یک روش حکاکی است که شامل غوطه ور کردن مواد نیمه هادی در یک محلول شیمیایی برای حل کردن نواحی ناخواسته سطح ماده است. ماده شیمیایی مورد استفاده معمولاً یک عامل اسیدی، بازی یا اکسید کننده است که با ماده واکنش می دهد. حکاکی مرطوب یک فرآیند ساده و کم هزینه است که می تواند برای ایجاد الگوهای با کیفیت بالا و یکنواخت روی سطح یک بستر نیمه هادی استفاده شود.

با این حال، محدودیت هایی مانند الزام تطبیق محلول اچ با خواص مواد و مشکلات در کنترل جهت اچ دارد.

اچینگ خشک

حکاکی خشک روش دقیق تر و پیچیده تر اچ است که از پلاسما برای حذف مواد از سطح استفاده می کند. این فرآیند به دلیل توانایی آن در ایجاد الگوهای دقیق تر و یکنواخت تر، بیشتر در ساخت نیمه هادی ها از اچ مرطوب استفاده می شود.

پلاسمای مورد استفاده در فرآیندهای اچ کردن خشک ممکن است یک گاز واکنشی یا مخلوطی از گازهایی مانند اکسیژن، کلر یا فلوئور باشد که یونیزه شده و سپس با جدا کردن اتم‌ها از سطح با مواد واکنش می‌دهند.

تکنیک اچ خشک کنترل بیشتری بر جهت و عمق اچ ارائه می دهد و امکان شکل گیری الگوهای پیچیده تر و پیچیده تر را فراهم می کند. همچنین قادر به دستیابی به نسبت تصویر بالایی است که نسبت عمق ویژگی اچ شده به عرض آن است.

به طور خلاصه، فناوری اچینگ نیمه هادی نقش اساسی در ساخت دستگاه های نیمه هادی ایفا می کند. هر دو تکنیک اچ مرطوب و خشک برای ایجاد الگوهای دقیق بر روی سطح زیرلایه های نیمه هادی استفاده می شود، با اچ خشک به دلیل دقت بالاتر و توانایی آن در ایجاد ساختارهای پیچیده تر، کاربرد بیشتری دارد.